Физические основы электроники

  1. Введение

1. Основы теории электропроводности полупроводников

Общие сведения о полупроводниках

  1. Строение атома
  2. Зонная теория
  3. Получение чистых полупроводников электронного качества
  4. Полупроводники с собственной проводимостью
  5. Полупроводники с электронной проводимостью (n-полупроводники)
  6. Полупроводники с дырочной проводимостью (p-полупроводники)

Токи в полупроводниках

  1. Дрейфовый ток
  2. Диффузионный ток

Контактные явления

  1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
  2. Прямое включение p-n перехода
  3. Обратное включение p-n перехода
  4. Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
  5. Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
  6. Ёмкости p-n перехода
  7. Гетеропереходы
  8. Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности
  9. Контакт металла с полупроводником
  10. Омические контакты
  11. Контакт двух металлов

Полупроводниковые диоды

  1. Выпрямительные диоды
  2. Стабилитроны и стабисторы
  3. Импульсные диоды
  4. Варикапы

Биполярные транзисторы

  1. Принцип действия биполярного транзистора
  2. Статические характеристики биполярных транзисторов
  3. Влияние температуры на статические характеристики БТ
  4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора
  5. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
  6. Частотные свойства биполярного транзистора
  7. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
  8. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
  9. Работа транзистора в усилительном режиме
  10. Особенности работы транзистора в импульсном режиме

Полевые транзисторы

  1. Полевой транзистор с p-n переходом
  2. Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор)

Дата последнего обновления файла 08.07.2020

Литература:

  1. В. Н. Дулин Электронные и ионные приборы - М. - Л.: Государственное энергетическое издательство, 1963. -544 с.
  2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. - М.: Радио и связь, 1998. -560 с.
  3. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989.-496 с.
  4. Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. -383 с.
  5. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Учебное пособие. — Новосибирск.: СибГУТИ, 2003. — 77 с.
  6. О.Б. Яценко, И.Г. Чудотворцев, М.К. Шаров Основы физики и химии полупроводников. Часть II Учебное пособие для вузов — Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета. 2007
  7. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.



Автор Микушин А. В. All rights reserved. 2001 ... 2019

Предыдущие версии сайта:
http://neic.nsk.su/~mavr
http://digital.sibsutis.ru/

Поиск по сайту сервисом Яндекс
Поиск по сайту сервисом ГУГЛ
Об авторе:
к.т.н., доц., Александр Владимирович Микушин

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором более 82 научных и научно-методических работ, в том числе 18 книг.

Top.Mail.Ru


Яндекс.Метрика