Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов

Для улучшения частотных свойств (повышение предельной частоты биполярного транзистора) рекомендуется

  1. Уменьшать время пролета инжектированных носителей в базовой области, для чего:
    • уменьшать ширину базовой области WБ;
    • создавать n-р-n транзисторы, так как в кремнии подвижность электронов выше по сравнению с дырками, примерно в 2 раза;
  2. Уменьшать омическое сопротивление области базы rбб'
  3. Уменьшать время пролета носителей в области коллекторного перехода.
  4. Создавать ускоряющее поле в базовой области для инжектированных из эмиттера носителей заряда.

Ускоряющее поле возникает при неравномерном распределении примесей в базе по направлению от эмиттера к коллектору


Рисунок 1.      (1)

Биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в базе, приводящим к появлению ускоряющего поля, называются дрейфовыми, а транзисторы с равномерной концентрацией примесей в базе — бездрейфовыми. Практически все современные биполярные транзисторы являются дрейфовыми транзисторами.

Итог:

  • При помощи технологических приёмов изготовления транзистора можно получить конструкцию, обладающую максимальным частотным диапазоном.
  • К сожалению, ряд требований к конструкции транзистора является несовместимыми между собой, в результате чего при изготовлении транзисторов приходится искать компромиссные решения.

Дата последнего обновления файла 6.01.2021


Понравился материал? Поделись с друзьями!


Литература:

  1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. — М.: Радио и связь, 1998. — 560 с.
  2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 496 с.
  3. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Учебное пособие. — Новосибирск.: СибГУТИ, 2003. — 77 с.
  4. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.
  5. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебно-методическое пособие: в 2 ч. Ч. 1: Расчёт и проектирование биполярных транзисторов. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с.
  6. Колосницын Б. С. Гапоненко Н. В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебное пособие: в 2 ч. Ч. 1: Физика активных элементов интегральных микросхем — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с.
  7. Колосницын Б. С. Гранько  С. В. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. Учебно-методическое пособие: — Минск: БГУИР, 2017. — 94 с.
  8. Биполярный транзистор. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор
  9. Изобретение транзистора. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора

Вместе со статьей "Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов" читают:

Биполярные транзисторы
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/

Статические характеристики биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/stat_har/

Влияние температуры на статические характеристики биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/t/

Принцип действия биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/princip/




Автор Микушин А. В. All rights reserved. 2001 ... 2021

Предыдущие версии сайта:
http://neic.nsk.su/~mavr
http://digital.sibsutis.ru/

Поиск по сайту сервисом Яндекс
Поиск по сайту сервисом ГУГЛ
Об авторе:
к.т.н., доц., Александр Владимирович Микушин

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором более 100 научных и научно-методических работ, в том числе 20 книг.

Top.Mail.Ru


Яндекс.Метрика