Для улучшения частотных свойств (повышение предельной частоты биполярного транзистора) рекомендуется
- Уменьшать время пролета инжектированных носителей в базовой области, для чего:
- уменьшать ширину базовой области WБ;
- создавать n-р-n транзисторы, так как в кремнии подвижность электронов выше по сравнению с дырками, примерно в 2 раза;
- Уменьшать омическое сопротивление области базы rбб'
- Уменьшать время пролета носителей в области коллекторного перехода.
- Создавать ускоряющее поле в базовой области для инжектированных из эмиттера носителей заряда.
Ускоряющее поле возникает при неравномерном распределении примесей в базе по направлению от эмиттера к коллектору
Рисунок 1.
(1)
Биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в базе, приводящим к появлению ускоряющего поля, называются дрейфовыми, а транзисторы с равномерной концентрацией примесей в базе — бездрейфовыми. Практически все современные биполярные транзисторы являются дрейфовыми транзисторами.
Итог:
- При помощи технологических приёмов изготовления транзистора можно получить конструкцию, обладающую максимальным частотным диапазоном.
- К сожалению, ряд требований к конструкции транзистора является несовместимыми между собой, в результате чего при изготовлении транзисторов приходится искать компромиссные решения.
Дата последнего обновления файла 6.01.2021
