HBT транзисторы

HBT транзистор — это биполярный транзистор, выполненный на гетеропереходах. При использовании гетеропереходов (переходов между разными полупроводниковыми материалами) можно значительно увеличить эффективность эмиттера, уменьшить удельное сопротивление базы. Благодаря этому значительно увеличивается коэффициент усиления по току и улучшается переходная характеристика биполярного транзистора. Кроме того, использование широкозонных полупроводниковых материалов, таких как фосфид индия или арсенид индия-галлия позволяет использовать HBT транзисторы в более широком диапазоне температур (до 350 °С)

В настоящее время обычно изготавливаются эпитаксиальные транзисторы. Другими словами транзисторы наращиваются на подложке. Подложку можно использовать из того же материала, что и транзистор, а можно другой. Применение широкозонного полупроводника в качестве подложки позволяет уменьшить токи утечки и паразитные ёмкости электронного прибора. Это такие материалы, как арсенид галлия или фосфид индия. Применяются в качестве подложки и изоляторы, например, хорошо известный в электронике сапфир Al₂O₃

Итог:

Дата последнего обновления файла 16.10.2022

1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. — М.: Радио и связь, 1998. — 560 с.
2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 496 с.
3. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Учебное пособие. — Новосибирск.: СибГУТИ, 2003. — 77 с.
4. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.
5. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебно-методическое пособие: в 2 ч. Ч. 1: Расчёт и проектирование биполярных транзисторов. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с.
6. Колосницын Б. С. Гапоненко Н. В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебное пособие: в 2 ч. Ч. 1: Физика активных элементов интегральных микросхем — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с.
7. Колосницын Б. С. Гранько  С. В. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. Учебно-методическое пособие: — Минск: БГУИР, 2017. — 94 с.
8. Биполярный транзистор. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор
9. Изобретение транзистора. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора
10. Проектные нормы биполярных транзисторов фирмы Интеграл

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором более 100 научных и научно-методических работ, в том числе 15 монографий и 9 учебников и учебных пособий.