
Рисунок 1.
В настоящее время обычно изготавливаются эпитаксиальные транзисторы. Другими словами транзисторы наращиваются на подложке. Подложку можно использовать из того же материала, что и транзистор, а можно другой. Применение широкозонного полупроводника в качестве подложки позволяет уменьшить токи утечки и паразитные ёмкости электронного прибора. Это такие материалы, как арсенид галлия или фосфид индия. Применяются в качестве подложки и изоляторы, например, хорошо известный в электронике сапфир Al2O3

Итог:
Дата последнего обновления файла 16.10.2022