HBT транзистор — это биполярный транзистор, выполненный на гетеропереходах. При использовании
гетеропереходов (переходов между разными полупроводниковыми материалами)
можно значительно увеличить эффективность эмиттера, уменьшить удельное сопротивление базы. Благодаря этому значительно
увеличивается коэффициент усиления по току и улучшается переходная характеристика биполярного транзистора. Из-за малого
падения напряжения вдоль p-n перехода "эмиттер-база" происходит
меньшее вытеснение тока в эмиттере, что позволяет создавать транзисторы с большей мощностью и большим коллекторным током по
сравнению с обычными биполярными транзисторами. Кроме того, использование широкозонных полупроводниковых материалов, таких
как фосфид индия или арсенид индия-галлия позволяет использовать HBT транзисторы в более широком диапазоне температур
(до 350 °С)
Рисунок 1.
В настоящее время обычно изготавливаются эпитаксиальные транзисторы. Другими словами транзисторы наращиваются на подложке.
Подложку можно использовать из того же материала, что и транзистор, а можно другой. Применение широкозонного полупроводника
в качестве подложки позволяет уменьшить токи утечки и паразитные ёмкости электронного прибора. Это такие материалы, как
арсенид галлия или фосфид индия. Применяются в качестве подложки и изоляторы, например, хорошо известный в электронике
сапфир Al2O3
Рисунок 2. Структура гетеробиполярного транзистора n-GaN/p-SiC/n-SiC
Рисунок 3. Зависимость коэффициента усиления транзистора по току
h21э от разрыва валентной зоны
для различных гетеропереходов
(1)
Итог:
Дата последнего обновления файла
16.10.2022
