Легирование полупроводников осуществляется с целью изменить их электрофизические свойства. Легирование осуществляется добавлением в полупроводник примесей другого вещества. Мы уже рассматривали свойства полупроводников с электронной проводимостью и с дырочной проводимостью. Легирование обычно осуществляется двумя способами — диффузией и эпитаксией.
При диффузии примесь поступает на поверхность полупроводникового кристалла, постепенно проникая в глубину материала. В результате концентрация атомов примеси в полупроводнике будет неравномерной. Она будет уменьшаться при удалении от поверхности кристалла по экспоненциальному закону.
Пример диффузии донорных ионов через окно в оксиде кремния и распределения их концентрации по глубине полупроводника приведен на рисунке 1.

Рисунок 1 Диффузия донорных ионов через окно в оксиде кремния (а) и распределение их концентрации по глубине полупроводника (б)