Частотные свойства транзистора определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов характеризовать зависимостью величин его параметров от частоты. Обычно рассматривается нормальный активный режим при малых амплитудах сигнала. Для биполярных транзисторов используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока h21б в схеме с общей базой и h21э в схеме с общим эмиттером.
Рисунок 1. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общей базой
На частотные свойства БТ влияют Сэ, Скб и rбб', а также время пролета носителей через базу τб. Параметры h21э и Скб указываются в справочных данных на транзистор (это технические условия для отечественных транзисторов, в крайнем случае справочники по транзисторам, или datasheets для иностранных транзисторов)
Обычно нет необходимости учитывать влияние на частотные свойства транзистора каждого элемента эквивалентной схемы в отдельности. Все эти элементы влияют на коэффициент передачи тока эмиттера h21б совместно. В результате он становится комплексной величиной, описываемой следующей формулой:
(1)
где h21б0 — коэффициент передачи тока эмиттера на низкой частоте,
f — текущая частота,
fh21б — предельная частота.
Чаще всего нас интересует модуль коэффициента усиления транзистора по току. Его можно получить из формулы (1):
(2)
Итог:
Дата последнего обновления файла 6.01.2021
