Частотные свойства биполярного транзистора

Частотные свойства транзистора определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов характеризовать зависимостью величин его параметров от частоты. Обычно рассматривается нормальный активный режим при малых амплитудах сигнала. Для биполярных транзисторов используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока h21б в схеме с общей базой и h21э в схеме с общим эмиттером.

Схема замещения биполярного транзистора в схеме замещения ОБ
Рисунок 1. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общей базой

На частотные свойства БТ влияют Сэ, Скб и rбб', а также время пролета носителей через базу τб. Параметры h21э и Скб указываются в справочных данных на транзистор (это технические условия для отечественных транзисторов, в крайнем случае справочники по транзисторам, или datasheets для иностранных транзисторов)

Обычно нет необходимости учитывать влияние на частотные свойства транзистора каждого элемента эквивалентной схемы в отдельности. Все эти элементы влияют на коэффициент передачи тока эмиттера h21б совместно. В результате он становится комплексной величиной, описываемой следующей формулой:

     (1)
где h21б0 — коэффициент передачи тока эмиттера на низкой частоте, 
    f — текущая частота,   
    fh21б — предельная частота.

Чаще всего нас интересует модуль коэффициента усиления транзистора по току. Его можно получить из формулы (1):

     (2)

Итог:

Дата последнего обновления файла 6.01.2021


Понравился материал? Поделись с друзьями!


Литература:

  1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. — М.: Радио и связь, 1998. — 560 с.
  2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 496 с.
  3. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Учебное пособие. — Новосибирск.: СибГУТИ, 2003. — 77 с.
  4. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.
  5. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебно-методическое пособие: в 2 ч. Ч. 1: Расчёт и проектирование биполярных транзисторов. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с.
  6. Колосницын Б. С. Гапоненко Н. В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебное пособие: в 2 ч. Ч. 1: Физика активных элементов интегральных микросхем — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с.
  7. Колосницын Б. С. Гранько  С. В. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. Учебно-методическое пособие: — Минск: БГУИР, 2017. — 94 с.
  8. Биполярный транзистор. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор
  9. Изобретение транзистора. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора
  10. npn транзистор общего назначения КТ3130
  11. NPN general purpose transistors BC846; BC847; BC848
  12. BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor

Вместе со статьей "Частотные свойства биполярного транзистора" читают:

Биполярные транзисторы
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/

Статические характеристики биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/stat_har/

Влияние температуры на статические характеристики биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/t/

Принцип действия биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/princip/




Автор Микушин А. В. All rights reserved. 2001 ... 2021

Предыдущие версии сайта:
http://neic.nsk.su/~mavr
http://digital.sibsutis.ru/

Поиск по сайту сервисом Яндекс
Поиск по сайту сервисом ГУГЛ
Об авторе:
к.т.н., доц., Александр Владимирович Микушин

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором более 100 научных и научно-методических работ, в том числе 20 книг.

Top.Mail.Ru


Яндекс.Метрика