Омические контакты в полупроводниковой технике применяются для соединения полупроводниковых приборов с металлическими выводами. Они должны обладать линейной вольтамперной характеристикой, т. е. сопротивление омических контактов не должно зависеть от величины и направления электрического тока. К этим контактам предъявляются дополнительные требования. Они должны иметь малое сопротивление и не допускать инжекции носителей заряда из металла контакта в полупроводник. Кроме того, омические контакты должны обеспечивать достаточную прочность соединения полупроводникового кристалла и металла контакта.
Наибольший интерес представляет омический контакт между кремнием (Si) и алюминием (Al). Этот вид омического контакта получил наибольшее распространение и только в последнее время вытесняется более сложными видами омических контактов. Алюминий обладает прекрасной адгезией к монокристаллу кремния. Кроме того, алюминий связывает кислород, тем самым повышая прочность соединения.
Рассмотрим контакт между алюминием и
Рисунок 1.
, (1)
Табл. 1. Материалы используемые для создания контактов
| Полупроводник | Контактообразующий материал |
|---|---|
| Si | Al, Al-Si, TiSi2, TiN, W, MoSi2, PtSi, CoSi2, WSi2 |
| Ge | In, AuGa, AuSb |
| GaAs | AuGe, PdGe, PdSi, Ti/Pt/Au |
| GaN | Ti/Al/Ti/Au, Pd/Au |
| SiC | Ni |
| InSb | In |
| ZnO | InSnO2, Al |
| CuIn1—xGaxSe2 | Mo, InSnO2 |
| HgCdTe | In |
| C (алмаз) | Ti/Au, Mo/Au |
Дата последнего обновления файла 23.08.2020
