Полевой транзистор с затвором Шоттки

Полевой транзистор с затвором Шоттки (MESFET транзистор) работает подобно полевому транзистору с p-n переходом, только вместо p-n перехода используется переход Шоттки.

Структура MESFET транзистора
Рисунок 1. Упрощённая структура полевого транзистора с затвором Шоттки на арсениде галлия

Итог:

Дата последнего обновления файла 10.09.2022


Понравился материал? Поделись с друзьями!


Литература:

  1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. — М.: Радио и связь, 1998. — 560 с.
  2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 496 с.
  3. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Учебное пособие. — Новосибирск.: СибГУТИ, 2003. — 77 с.
  4. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.
  5. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебно-методическое пособие: в 2 ч. Ч. 1: Расчёт и проектирование биполярных транзисторов. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с.
  6. Колосницын Б. С. Гапоненко Н. В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебное пособие: в 2 ч. Ч. 1: Физика активных элементов интегральных микросхем — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с.
  7. Колосницын Б. С. Гранько  С. В. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. Учебно-методическое пособие: — Минск: БГУИР, 2017. — 94 с.
  8. Лекция 23. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ url:http://ikit.edu.sfu-kras.ru/files/3/L_23.pdf
  9. Технология MBCFET, делающая возможным переход к 3 нм техпроцессу в 2021 году url:https://cnx-software.ru/2019/05/19/технология-mbcfet-делающая-возможным-пере/

Справочники:

  1. Транзисторы 2П302А/ИУ, 2П302Б/ИУ, 2П302В/ИУ
  2. 2N5457, 2N5458 JFETs — General Purpose n-Channel, Depletion. ON Semiconductor. url:https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N5457-D.PDF
  3. MMBFU310LT1G JFET Transistor — General Purpose n-Channel. ON Semiconductor. url:https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N5457-D.PDF

Вместе со статьей "Полевой транзистор с затвором Шоттки" читают:

Полевые МОП-транзисторы
https://digteh.ru/foe/tranzistor/fet/mos/

Полевые транзисторы
https://digteh.ru/foe/tranzistor/fet/

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
https://digteh.ru/foe/tranzistor/fet/j/

Биполярные транзисторы
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/

Принцип действия биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/princip/


Автор Микушин А. В. All rights reserved. 2001 ... 2022

Предыдущие версии сайта:
http://neic.nsk.su/~mavr
http://digital.sibsutis.ru/

Поиск по сайту сервисом Яндекс
Поиск по сайту сервисом ГУГЛ
Об авторе:
к.т.н., доц., Александр Владимирович Микушин

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором более 100 научных и научно-методических работ, в том числе 20 книг.

Top.Mail.Ru


Яндекс.Метрика