Контакт полупроводников с одним типом проводимости, но с разной концентрацией
легирующих примесей часто встречается в электронных полупроводниковых приборах. Его обозначают (р+)-р или
(n+)-n контактом или переходом. Знаком "плюс" отмечается полупроводник с большей концентрацией легирующих
примесей,
В контактах между полупроводниками одного типа проводимости носители заряда из области с большей концентрацией легирующей примеси переходят в область с меньшей концентрацией. В результате в области с повышенной концентрацией примесей нарушается компенсация зарядов ионизированных атомов примеси, а в соседней области полупроводника создается избыток основных носителей зарядов.
Образование этих зарядов приводит к появлению на переходе собственного электрического поля и контактной разности потенциалов, которую для (р+)-р перехода можно определить следующим образом:

контактная разность потенциалов для (n+)-n перехода вычисляется по следующей формуле:

В этих переходах не образуется слой с малой концентрацией носителей зарядов, и их сопротивление определяется в основном
сопротивлением низкоомной области. Поэтому при прохождении тока непосредственно на контакте падает небольшое напряжение и
выпрямительные свойства этих переходов не проявляются. В
Если к

Рисунок 1. Внутреннее устройство полупроводникового диода
Промежуточное положение между p+-p- или n+-n- и

Рисунок 2. Энергетическая диаграмма p-i перехода
Из-за разности концентраций носителей зарядов в p- и
Дата последнего обновления файла 23.08.2020