Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор — это электронный прибор, предназначенный для усиления сигналов. Слово "транзистор" означает, что у этого электронного прибора есть три вывода. Слово было придумано, чтобы отличать полупроводниковый прибор от трёхэлектродной электровакуумной лампы, которая называется — триод. В последнее время распространилось англоязычное обозначение биполярного транзистора — BT (Bipolar Transistor).

Первые транзисторы изготавливались вплавлением проволочек в полупроводниковый кристалл германия, который назывался базой (основой). Их конструкцию до сих пор можно увидеть в условно-графическом обозначении (УГО) биполярных транзисторов. УГО биполярного транзистора показано на рисунке 1.

УГО биполярного n-p-n транзистора
Рисунок 1. Условно-графическое обозначение биполярного npn транзистора

На этом рисунке чертой обозначена база транзистора, а две проволочки, вплавленные в базу под углом 60° — это коллектор и эмиттер. Для того, чтобы отличить эмиттер от коллектора его изображают стрелочкой. Направление стрелочки показывает, куда будет протекать ток в рабочем режиме транзистора. Проволочки в УГО не должны замыкаться между собой, как это и было в реальных точечных транзисторах.

Биполярные транзисторы можно получить двумя способами. Это чередование областей полупроводника p-n-p и n-p-n. С точки зрения принципа работы биполярного транзистора нет разницы, как его сделать, но с технологической точки зрения получилось, что для германиевых транзисторов легче получить pnp транзисторы, а для кремниевых транзисторов — npn. На рисунке 1 приведено условно-графическое обозначение n-p-n транзистора, а на рисунке 2 — pnp.

УГО биполярного pnp транзистора
Рисунок 2. Условно-графическое обозначение биполярного p-n-p транзистора

Современные транзисторы изготавливаются в основном на кристаллах двух полупроводников: кремния Si и арсенида галлия GaAs. В последнее время освоили технологию изготовления транзисторов на нитриде галлия GaN и карбиде кремния SiC. Для высокочастотных транзисторов с граничной частотой до 250 ГГц применяют гетеропереходы между слоями разных полупроводников, например, гетеротранзистор InAlAs-InGaAs-InP или InP-InGaAs-InP.

Итог:

  • Биполярный транзистор обладает усилением.
  • Существует два вида биполярных транзисторов.

Дата последнего обновления файла 14.07.2020

Литература:

  1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. — М.: Радио и связь, 1998. — 560 с.
  2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 496 с.
  3. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Учебное пособие. — Новосибирск.: СибГУТИ, 2003. — 77 с.
  4. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.
  5. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебно-методическое пособие: в 2 ч. Ч. 1: Расчёт и проектирование биполярных транзисторов. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с.
  6. Колосницын Б. С. Гапоненко Н. В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебное пособие: в 2 ч. Ч. 1: Физика активных элементов интегральных микросхем — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с.
  7. Колосницын Б. С. Гранько  С. В. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. Учебно-методическое пособие: — Минск: БГУИР, 2017. — 94 с.
  8. Биполярный транзистор. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор
  9. Изобретение транзистора. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора

Вместе со статьей "Биполярные транзисторы" читают:

Принцип действия биполярного транзистора
https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/princip/

Прямое включение pn-перехода
https://digteh.ru/foe/pn_perehod/open/

Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
https://digteh.ru/foe/pn_perehod/vah_teor/

Ёмкость pn-перехода
https://digteh.ru/foe/pn_perehod/c/




Автор Микушин А. В. All rights reserved. 2001 ... 2020

Предыдущие версии сайта:
http://neic.nsk.su/~mavr
http://digital.sibsutis.ru/

Поиск по сайту сервисом Яндекс
Поиск по сайту сервисом ГУГЛ
Об авторе:
к.т.н., доц., Александр Владимирович Микушин

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором более 82 научных и научно-методических работ, в том числе 18 книг.

Top.Mail.Ru


Яндекс.Метрика