Контактные явления

Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области контакта твердых тел. При этом обычно используются контакты: полупроводник-полупроводник (p-n переход), металл-полупроводник (Шоттки или омический контакт), диэлектрик-металл (изоляция проводников), диэлектрик-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник. Обратите внимание, что контакты между полупроводниками могут быть как между химически идентичными полупроводниками, так и между полупроводниками разных видов (гетеропереходы).

В месте контакта разных материалов возникают явления, которые описываются зонной теорией проводимости. Наиболее интересные явления, которые могут применяться в различных электронных устройствах, это генерация напряжения, излучение света, охлаждение перехода при протекании тока (эффект Пельтье), односторонняя проводимость тока или омический контакт (одинаковая проводимость в обоих направлениях).

Также в месте контакта материалов могут проходить электрохимические процессы, которые могут приводить к окислению одного из материалов, и, в конечном итоге, разрушению контакта. И, соответственно, можно при помощи покрытия другим материалом (созданием нового контакта) обеспечить безотказную работу нужного нам узла телекоммуникационного устройства в условиях воздействия агрессивной внешней среды.

Дата последнего обновления файла 04.08.2020


Понравился материал? Поделись с друзьями!


Литература:

  1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. - М.: Радио и связь, 1998. -560 с.
  2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989.-496 с.
  3. Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. -383 с.
  4. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Методические указания и контрольные задания. СибГУТИ, 2002.
  5. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.

Вместе со статьей "Контактные явления" читают:

Полупроводники с электронной проводимостью
https://digteh.ru/foe/nsemicond/

Полупроводники с дырочной проводимостью
https://digteh.ru/foe/psemicond/

Дрейфовый ток
https://digteh.ru/foe/dreif_i/

Диффузионный ток
https://digteh.ru/foe/diffuz_i/


Автор Микушин А. В. All rights reserved. 2001 ... 2023

Предыдущие версии сайта:
http://neic.nsk.su/~mavr
http://digital.sibsutis.ru/

Поиск по сайту сервисом Яндекс
Поиск по сайту сервисом ГУГЛ
Об авторе:
к.т.н., доц., Александр Владимирович Микушин

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором 130 научных и научно-методических работ, в том числе 21 монография и 26 учебников и учебных пособий.

Top.Mail.Ru

Яндекс.Метрика