Малосигнальную модель биполярного транзистора легко получить из его внутреннего устройства. При этом эмиттерный и коллекторный
Эквивалентная схема биполярного транзистора в малосигнальной модели зависит от схемы включения транзистора. Малосигнальная модель биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером показана на рисунке 1.
Рисунок 1. Малосигнальная модель биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
На этой схеме сопротивление Rбб' отображает омическое сопротивление базовой области транзистора и можнт составлять сотни Ом, сопротивление Rб'э — сопротивление его эмиттерного перехода, пересчитанное к цепи базы транзистора. Это сопротивление можно определить по следующей формуле:
(1)
где iэ — постоянная составляющая тока эмиттера.
Так как при комнатной температуре
Сопротивление коллекторного перехода в основном определяется эффектом Эрли (изменение ширины базы транзистора под воздействием напряжения коллектора). Раньше его определяли по выходным характеристикам транзистора:
(2)
Сейчас указывается непосредственно в справочных данных на транзистор. Часто эта величина указывается в виде h-параметра h22э. Тогда сопротивление Rкэ определяется следующим образом:
Конденсатор Cэ представляет собой ёмкость эмиттерного перехода транзистора, а конденсатор Cкб — ёмкость его коллекторного перехода. При расчёте схем на транзисторах часто требуется учитывать её в виде Cкэ. Тогда она пересчитывается следующим образом:
(4)
Итог:
- Малосигнальная модель транзистора строится из физического устройства транзистора;
- Модель транзистора при включение с общей базой и общим колллектором практически не отличаются друг от друга.
Дата последнего обновления файла 2.01.2021
