Дифференциальные параметры биполярного транзистора

Дифференциальные параметры транзисторов позволяют производить расчеты усилителей при небольших уровнях сигналов. Именно эти параметры чаще всего приводятся в справочных данных транзисторов. Одним из наиболее распространенных дифференциальных параметров для биполярных транзисторов являются h-параметры.

Эта система параметров оказалась удобной для биполярных транзисторов, так как для них легко измерить входной ток, коэффициент усиления по току и входные и выходные сопротивления. Для системы h-параметров биполярный транзистор описывается следующими выражениями:

где h11 — входное сопротивление, 
    h12 — коэффициент обратной связи по напряжению, 
    h21 — коэффициент передачи входного тока, 
    h22 — выходная проводимость.

Эквивалентная схема биполярного транзистора с h-параметрами приведена на рисунке 1.

Итог:

• Дифференциальные параметры позволяют описывать транзистор для переменных напряжений и токов
• Для биполярных транзисторов наилучшей системой дифференциальных параметров является система h-параметров

Дата последнего обновления файла 1.01.2021

1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н. Д. — М.: Радио и связь, 1998. — 560 с.
2. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 496 с.
3. Савиных В. Л. Физические основы электроники. Учебное пособие. — Новосибирск.: СибГУТИ, 2003. — 77 с.
4. Глазачев А. В. Петрович В. П. Физические основы электроники. Конспект лекций — Томск: Томский политехнический университет, 2015.
5. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебно-методическое пособие: в 2 ч. Ч. 1: Расчёт и проектирование биполярных транзисторов. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с.
6. Колосницын Б. С. Гапоненко Н. В. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Учебное пособие: в 2 ч. Ч. 1: Физика активных элементов интегральных микросхем — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с.
7. Колосницын Б. С. Гранько  С. В. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений. Учебно-методическое пособие: — Минск: БГУИР, 2017. — 94 с.
8. Биполярный транзистор. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор
9. Изобретение транзистора. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. url:https://ru.wikipedia.org/wiki/Изобретение_транзистора

Кандидат технических наук, доцент кафедры САПР СибГУТИ. Выпускник факультета радиосвязи и радиовещания (1982) Новосибирского электротехнического института связи (НЭИС).

А.В.Микушин длительное время проработал ведущим инженером в научно исследовательском секторе НЭИС, конструкторско технологическом центре "Сигнал", Научно производственной фирме "Булат". В процессе этой деятельности он внёс вклад в разработку систем радионавигации, радиосвязи и транкинговой связи.

Научные исследования внедрены в аппаратуре радинавигационной системы Loran-C, комплексов мобильной и транкинговой связи "Сигнал-201", авиационной системы передачи данных "Орлан-СТД", отечественном развитии системы SmarTrunkII и радиостанций специального назначения.

А.В.Микушин является автором 130 научных и научно-методических работ, в том числе 21 монография и 26 учебников и учебных пособий.