Схема питания транзистора с фиксированным напряжением на базе менее распространена в схемах с биполярным транзистором. По сравнению со схемой с фиксированным током, однако, она обладает большей стабильностью параметров усилителя. Схема питания транзистора с фиксированным напряжением на базе приведена на рисунке 1. В этой схеме не показаны цепи, по которым подается сигнал на вход транзистора и снимается усиленное напряжение.
Рисунок 1 Схема питания транзистора с фиксированным напряжением на базе
Точно также как и в случае схемы питания транзистора с фиксированным током базы, эта схема подходит для всех схем включения транзистора: схемы с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой. Более того! Схема питания транзистора с фиксированным напряжением на базе транзистора подходит для питания полевых транзисторов с индуцированным каналом, правда в этом случае она будет называться схемой питания транзистора с фиксированным напряжением на затворе транзистора.
Рассмотрим сначала расчет схемы по постоянному току. Так же, как и в схеме с фиксированным током базы, расчет схемы по
постоянному и переменному току можно (и нужно) делать независимо. Так же, как и в схеме с фиксированным током базы, расчет
схемы с фиксированным напряжением на базе начинается с выхода каскада. Сначала задаемся током потребления (коллекторным током
транзистора VT1). Пусть ток
Затем рассчитаем номинал сопротивления R3. В случае высокочастотных схем, где в качестве нагрузки транзистора применяется индуктивность или дроссель, этот этап рассчета схемы по постоянному току пропускаем. Для этого задаемся напряжением на коллекторе, равным половине питания схемы. Это обеспечит минимальные искажения переменного напряжения, как это показано на рисунке 2.
Рисунок 2 Временная диаграмма напряжения на коллекторе транзистора
Известно, что падение напряжения на резисторе зависит от тока, протекающего по нему, поэтому напряжение на коллекторе в пределе может меняться от 0 до напряжения питания. На рисунке 2 красным цветом показано напряжение питания, черным — желательное напряжение на коллекторе. При синусоидальном напряжении на выходе усилителя постоянная составляющая должна быть равна половине питания. Поэтому выбираем на коллекторе напряжение, равное половине питания Uп/2
Теперь можно определить значение сопротивления R3. По закону Ома зная падение напряжения на резисторе (оно равно половине питания) и току коллектора сопротивление резистора R3 будет равно:
(1)Теперь определим ток базы. Для этого можно воспользоваться параметром h21э транзистора:
(2),Для того, чтобы ток базы не влиял на напряжение на базе транзистора, ток делителя, протекающий по резисторам R1 и R2, задаем в десять раз больше тока базы. Если минимальное значение h21э будет равно 20, то максимальный ток базы будет равен 50 мкА. Зададимся током делителя 500 мкА, тогда ток базы практически не будет влиять на напряжение на базе. Напряжение на базе транзистора формируем за счет падения напряжения на резисторе R2. По закону Ома это напряжение будет равно:
Отсюда определим номинал сопротивления R2:
(4).Осталось найти значение сопротивления R1. Для этого по закону Киргофа определим падение напряжения на этом сопротивлении:
следовательно
Сопротивление резистора R1 будет равно:
(6).