Дата последнего обновления файла 02.07.2014

Составной транзистор (схема Дарлингтона)

При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше тех моделей, которые предлагают фирмы производители радиоэлектронных компонентов (или лучше чем позволяет реализовать доступная технология изготовления транзисторов). Эта ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Нам обычно требуются больший коэффициент усиления по току h21, большее значение входного сопротивления h11 или меньшее значение выходной проводимости h22.

Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует много возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшая при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на npn транзисторах приведен на рисунке 1.


Рисунок 1 Схема Дарлингтона на npn транзисторах

Приведенная схема эквивалентна одиночному npn транзистору. В данной схеме ток эмиттера транзистора VT1 является током базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокое значение коэффициента усиления по току h21, которое можно приблизительно определить как произведение h21 входящих в схему транзисторов:

      (1)

Однако следует иметь ввиду, что коэффициент h21 достаточно сильно зависит от тока коллектора. Поэтому при малых значениях тока коллектора транзистора VT1 его значение может значительно уменьшиться. Пример зависимости h21 от тока коллектора для разных транзисторов приведен на рисунке 2


Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора

Как видно из этих графиков, коэффициент h21э практически не изменяется только у двух транзисторов: отечественный КТ361В и иностранный BC846A. У остальных транзисторов коэффициент усиления по току значительно зависит от тока коллектора.

В случае когда базовый ток транзистора VT2 получается достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого значения коэффициента усиления по току h21. В этом случае увеличения коэффициента h21 и, соответственно, уменьшения тока базы составного транзистора можно добиться увеличением тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как это показано на рисунке 3.


Рисунок 3 Составной транзистор Дарлингтона с дополнительным резистором в цепи эмиттера первого транзистора

Например, определим элементы для схемы Дарлингтона, собранной на транзисторах BC846A Пусть ток транзистора VT2 будет равен 1 мА. Тогда его ток базы будет равен:

      (2)

При таком токе коэффициент усиления по току h21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может оказаться значительно меньше расчетного. Увеличив ток коллектора транзистора VT1 при помощи резистора можно значительно выиграть в значении общего коэффициента усиления h21. Так как напряжение на базе транзистора является константой (для кремниевого транзистора uбэ = 0,7 В), то резистор рассчитаем по закону Ома:

      (3)

В этом случае мы вправе ожидать коэффициент усиления по току до 40000. Именно таким образом выполнены многие отечественные и иностранные супербетта транзисторы, такие как КТ972, КТ973 или КТ825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко используется в выходных каскадах усилителей низкой частоты (двухтактных усилителях), операционных усилителей и даже цифровых логических элементов, например, ТТЛ логики.

Следует отметить, что схема Дарлингтона обладает таким недостатком, как повышенное напряжение Uкэ. Если в обычных транзисторах Uкэ составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это связано с необходимостью открывать транзистор VT1, а для этого на его базу следует подать напряжение 0,7 В (если мы рассматриваем кремниевые транзисторы).

Для того, чтобы устранить указанный недостаток была разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах. В российском Интернете она получила название схемы Шиклаи. Это название пришло из книги Титце и Шенка, хотя эта схема ранее имела другое название, поэтому будем ее называть просто составным транзистором. Схема составного pnp транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 4.


Рисунок 4 Составной pnp транзистор на комплементарных транзисторах

Точно таким же образом образуется npn транзистор. Схема составного npn транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 5.


Рисунок 5 Составной npn транзистор на комплементарных транзисторах

Литература:

  1. Шило В. Л. "Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре" под ред. Е.И. Гальперина — М.: "Сов. радио" 1974
  2. Справочник по транзисторам биполярным низкочастотным средней и большой мощности (radioman-portal.ru/)
  3. npn транзистор общего назначения КТ3130
  4. NPN general purpose transistors BC846; BC847; BC848
  5. BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor

Вместе со статьей "Составной транзистор (схема Дарлингтона)" читают:

Схема с общим эмиттером (каскад с общим эмиттером)
http://digteh.ru/Sxemoteh/ShVklTrz/OE/

Схема с общей базой (каскад с общей базой)
http://digteh.ru/Sxemoteh/ShVklTrz/OB/

Схема с общим коллектором (каскад с общим коллектором)
http://digteh.ru/Sxemoteh/ShVklTrz/OK/

Схемы включения транзистора
http://digteh.ru/Sxemoteh/ShVklTrz/


Автор Микушин А. В. All rights reserved. 2001 ... 2015

Предыдущие версии сайта:
http://neic.nsk.su/~mavr
http://digital.sibsutis.ru/

пЕИРХМЦ@Mail.ru


Rambler's Top100